Lanying Lin

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Lanying LinPicto infobox character.png
miembru de l'Asamblea Popular Nacional


Member of the Standing Committee of the National People's Congress (en) Traducir

Vida
Nacimientu 7  de febreru de 1918
Nacionalidá Bandera de la República Popular China República Popular China
Muerte

4  de marzu de 2003

(85 años)
Estudios
Estudios Universidá de Pennsylvania
Universidá de Chicago
Dickinson College (es) Traducir
Oficiu
Oficiu políticafísica
Miembru de Academic Division of Technological Sciences of the Chinese Academy of Sciences (en) Traducir
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Lanying Lin (treslliteración 林兰英))(7  de febreru de 1918 - 4  de marzu de 2003), foi una científica china nel campu de la inxeniería de materiales.[1][2][3][4] Nació en Putian, provincia Fujian, sur de China. Ye considerada la Madre de los Materiales Aeroespaciales y la Madre de los Materiales Semiconductores en China. Nació nuna familia prestixosa, fondamente influyida pola creencia de que la muyer nun precisaba una educación. Por ello, nun asistió a la escuela primaria. Pero ella lluchó contra la so familia por un cambéu y consiguió la posibilidá d'empecipiar una educación formal. Graduar pola Universidá cristiana de Fujian, con un grau de B.A. en Física.[5] A los trenta años, asistió a la Dickinson University y ganó otru grau en matemátiques. En 1955, recibió'l doctoráu en Física del estáu sólidu pola Universidá de Pennsylvania, convirtiéndose na primer persona china en cien años en ganar el doctoráu nesa universidá. En 1957, tornó a China y foi asignada pa ser investigadora nel Institutu de Física CAS. Depués camudóse al Institutu de Semiconductores CAS y ocupó tola so vida con investigaciones nesa institución.

Opiniones sobre asuntos de xéneru[2][editar | editar la fonte]

Mientres la so vida, encaró munches dificultaes por ser muyer. Dempués de volver d'EEXX, xunir a la Federación de Muyeres de China.[6] Dio munches conferencies y falaba sobre asuntos de xéneru. Creyó que nel campu de la ciencia, muyeres y homes son iguales.

Atribuciones y honores[3][editar | editar la fonte]

1962: fabrica'l primer fornu monocristalino llamáu TDK en China * 1962: fabrica'l primer siliciu monocristalino ensin malposición en China * 1962: produzse'l primera antimoniuro d'indiu monocristalino cola mayor purificación

  • 1962: primer arseniuro de galio monocristalino
  • 1963: fabrica'l primera láser semiconductor en China *

1963: fabrica siliciu altamente purificado y recibe el segundu premiu de los Llogros Nacionales en Ciencia y Teunoloxía

  • 1964: Diseña'l procesu de faer siliciu con baxa malposición y recibe el segundu premiu de Los Llogros Nacionales de Ciencia y Teunoloxía
  • 1974: fabrica'l primera arseniuro de galio monocristalino ensin malposición
  • 1978: recibe'l CAS Llogros Importantes del Premiu de Ciencia y Teunoloxía
  • 1981: fabrica'l circuitu integráu y recibe el CAS Llogros Importantes del Premiu de Ciencia y Teunoloxía
  • 1986: realiza'l circuitu integráu SOS-CMOS y recibe el tercer premiu de Los Llogros Nacionales en Ciencia y Teunoloxía
  • 1989: investigación sobre l'estensu material GaInAsSb/InP y recibe el segundu premiu de Los Llogros Nacionales de Ciencia y Teunoloxía
  • 1989: realizó con ésitu l'esperimentu de fundir el arseniuro de galio en satélites artificiales y recibe el tercer premiu de Los Llogros Nacionales de Ciencia y Teunoloxía
  • 1990-1991: recibió'l tercer premiu de Los Llogros Nacionales de Ciencia y Tecnología cuatro vegaes
  • 1991: fixo un satélite con cinco circuito distintos del circuitu integráu SOS-CMOS
  • 1992: fixo'l fosfuro d'indiu monocristalino
  • 1998: fixo célules solares de arseniuro de galio licuando los materiales estensos
  • 1990-2000: lideró la investigación en SIC, material de GaN y plantegó la nueva teunoloxía de crecedera en materiales d'alta temperatura

Actividaes polítiques[3][editar | editar la fonte]

  • 1962: vicepresidenta de la Federación Xuvenil de toa China *

1964: avientu, diputada al congresu de la Tercer Asamblea Popular Nacional y miembru permanente de la Comisión del congresu de l'Asamblea Popular Nacional

  • 1975: xineru, diputada al congresu de la Cuarta Asamblea Popular Nacional
  • 1978: febreru, diputada al congresu de l'Asamblea Popular Nacional
  • 1978: hasta setiembre de 1983, miembru de la federación de Muyeres de toa China (ACWF)
  • 1978: miembru del comité del Institutu chinu d'Electrónica (CIE)
  • 1979: xunetu, direutora xestora del Institutu chinu d'Electrónica (CIE)
  • 1980: abril, segunda vicepresidenta de l'Asociación China pa la Ciencia y Teunoloxía (CAST)
  • 1981: mayu, direutora xestora del departamentu de teunoloxía de l'Academia china de Ciencia (CAS)
  • 1982: setiembre, delegada de la Docena Conferencia Nacional del Pueblu celebrada pol Partíu Comunista de China (CCP)
  • 1983: mayu, diputada al congresu de La Sexta Asamblea Popular Nacional
  • 1986: tercer vicepresidenta de l'Asociación China pa Ciencia y Teunoloxía (CAST)
  • 1988: marzu, diputada na Séptima Asamblea Nacional Popular y miembru de la Comisión permanente del congresu de l'Asamblea Nacional Popular
  • 1988: Direutora honoraria del Institutu chinu d'Electrónica (CIE)
  • 1991: cuarta vicepresidenta de l'Asociación China pa Ciencia y Teunoloxía (CAST)
  • 1993: marzu, diputada na Octava Asamblea Nacional Popular y miembru de la Comisión permanente del congresu de l'Asamblea Nacional Popular
  • 1996: Direutora del Llaboratoriu Nacional Clave en microgravedad

Delles publicaciones[7][editar | editar la fonte]

Referencies[editar | editar la fonte]

  1. Zheng, Guoxian (2005). Academician Lanying Lin. Beijing: Writer Press. ISBN 7-5063-3267-1.
  2. 2,0 2,1 Guo, Kemi (1998).
  3. 3,0 3,1 3,2 He, Panguo (2014). Biography of Lanying Lin. Scientific Press. ISBN 9787030401250.
  4. "Lanying Lin".
  5. "Fukien Christian University".
  6. Chen, Chen (1996).
  7. Lin, Lanying (1992).
  8. Chen, Nuofu; He, Hongjia; Wang, Yutian; Pan, Kun; Lin, Lanying (1996-10-01).
  9. Chen, NuoFu; He, Hongjia; Wang, Yutian; Lin, Lanying (1997-04-01).
  10. Yang, Bin; Cheng, Yong-hai; Wang, Zhan-guo; Liang, Ji-ben; Liao, Qi-wei; Lin, Lan-ying; Zhu, Zhan-ping; Xu, Bo; Li, Wei (1994-12-26).
  11. Zhou, Bojun; Cao, Funian; Lin, Lanying; Ma, Wenju; Zheng, Yun; Tau, Feng; Xue, Minglun (1994-01-01).
  12. Lin, Lanying; Zhong, Xingru; Chen, NuoFu (1998-07-15).
  13. Chen, NuoFu; Wang, Yutian; He, Hongjia; Lin, Lanying (1996-09-15).
  14. Yang, Bin; Wang, Zhan-guo; Cheng, Yong-hai; Liang, Ji-ben; Lin, Lan-ying; Zhu, Zhan-ping; Xu, Bo; Li, Wei (1995-03-13).
  15. Wu, J.; Wang, Z. G.; Lin, L. Y.; Han, C. B.; Zhang, M.; Bai, S. W. (1996-04-29).
  16. Li, Rui-Gang; Wang, Zhan-Guo; Liang, Ji-Ben; Ren, Guang-Bao; Fan, Ti-Wen; Lin, Lan-Ying (1995-05-01).
  17. Tian, J.F.; Jiang, D.S.; Zeng, B.R.; Huang, Lin; Kong, G.L.; Lin, L.Y. "Photon energy dependence of SW effect in a-Si:H films".
  18. Wang, Qi-Yuan; Ma, Zhen-Yu; Cai, Tian-Hai; Yu, Yuan-Huan; Lin, Lan-Ying (1999-01-01).
  19. Lin, L.Y.; Zhong, X.R.; Wang, Z.G.; Li, C.J.; Shi, Z.W.; Zhang, M. "Properties and applications of GaAs single crystal grown under microgravity conditions".
  20. Zhong, X. R.; Zhou, B. J.; Yan, Q. M.; Cao, F. N.; Li, C. J.; Lin, L. Y.; Ma, W. J.; Zheng, Y.; Tau, F. (1992-04-02).
  21. Wang, Z.G.; Li, C.J.; Wan, S.K.; Lin, L.Y. "Spatial distributions of impurities and defects in Te- and Si-doped GaAs grown in a reduced gravity environment".
  22. Zhiyuan, Dong; Youwen, Zhao; Yiping, Zeng; Manlong, Duan; Wenrong, Sun; Jinghua, Jiao; Lanying, Lin (2003-11-01).
  23. Chen, Wei; Xu, Yan; Lin, Zhaojun; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying (1998-01-01).
  24. Tan, Liwen; Wang, Qiyuan; Wang, Jun; Yu, Yuanhuan; Liu, Zhongli; Lin, Lanying (2003-01-01).
  25. Chen, Wei; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying; Lin, Jianhua; El so, Mianzeng (1997-08-04).
  26. Zhao, Youwen; Sun, Niefeng; Dong, Hongwei; Jiao, Jinghua; Zhao, Jianqun; Sun, Tongnian; Lin, Lanying (2002-04-30).
  27. Tan, Liwen; Zan, Yude; Wang, Jun; Wang, Qiyuan; Yu, Yuanhuan; Wang, Shurui; Liu, Zhongli; Lin, Lanying (2002-03-01).
  28. Chen, Wei; Lin, Zhaojun; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying (1996-10-01).
  29. Lin, Zhaojun; Wang, Zhanguo; Chen, Wei; Lin, Lanying; Li, Guohua; Liu, Zhenxian; Han, Hexiang; Wang, Zhaoping (1997-06-15).
  30. Lu, Da-cheng; Liu, Xianglin; Wang, Du; Lin, Lanying (1992-11-01).
  31. Lanying, Lin; Zhaoqiang, Fang; Bojun, Zhou; Suzhen, Zhu; Xianbi, Xiang; Rangyuan, Wu. "Growth and properties of high purity LPE-GaAs".
  32. Chen, Wei; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying; El so, Mianzeng (1998-01-01).
  33. Renyong, Fan; Yuanhuan, Yu; Shiduan, Yin; Lanying, Lin.
  34. Chen, NuoFu; Zhong, Xingru; Lin, Lanying; Xie, Xie; Zhang, Mian (2000-06-01).
  35. Lei, Zhong; Zhanguo, Wang; Shouke, Wan; Lanying, Lin.
  36. Liu, Xianglin; Wang, Lianshan; Lu, Da-Cheng; Wang, Du; Wang, Xiaohui; Lin, Lanying (1998-06-15).
  37. Liu, Xianglin; Lu, Da-Cheng; Wang, Lianshan; Wang, Xiaohui; Wang, Du; Lin, Lanying (1998-09-15).
  38. Zhuang, Qiandong; Li, Hanxuan; Pan, Liang; Li, Jinmin; Kong, Meiying; Lin, Lanying (1999-05-01).
  39. Chen, Wei (1 de marzu de 1997). «Thermoluminescence of CdS clusters in zeolite-Y». Journal of Luminescence 71 (2):  pp. 151–156. doi:10.1016/S0022-2313(96)00129-9. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231396001299. 

Enllaces esternos[editar | editar la fonte]

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